離子注入機是芯片制造中的核心關(guān)鍵裝備。中國電科連續(xù)突破大流強長壽命高品質(zhì)離子源、高速晶圓傳輸?shù)群诵年P(guān)鍵技術(shù)，自主研制中束流、大束流、高能、特種應(yīng)用及第三代半導(dǎo)體等離子注入機，工藝段覆蓋至28nm，累計形成核心發(fā)明專利413項，實現(xiàn)我國芯片制造領(lǐng)域全譜系離子注入機自主創(chuàng)新發(fā)展，有效緩解我國芯片制造領(lǐng)域斷鏈、短鏈難題。

　　截止到目前，中國電科已成功實現(xiàn)離子注入機全譜系產(chǎn)品國產(chǎn)化，可為全球芯片制造企業(yè)提供離子注入機一站式解決方案。下一步，將瞄準高端，緊跟先進工藝發(fā)展，加快推進適用于更先進工藝節(jié)點離子注入機的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。